专利详情

专利名称	制备硅基砷化镓材料的方法
申请号	CN201210032751.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102534768A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;张心;潘教青;王圩
主分类号	C30B25/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/02(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	制备硅基砷化镓材料的方法至制备硅基砷化镓材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：在硅衬底1上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；采用MOCVD的方法，先在沟槽内生长第一缓冲层，然后在沟槽内的第一缓冲层上生长第二缓冲层，其厚度超出二氧化硅层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层上生长顶层；各层采用SiH4掺杂；采用化学机械抛光的方法，将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，完成材料的制备。本发明可制备高质量Si基GaAs材料，为Si基GaAs器件奠定衬底基础，特别是高迁移微电子器件和解决硅基发光提供了一种可行方案。