专利详情

专利名称	高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法
申请号	CN201210015129.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102544042A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	曹中祥;吴南健;周杨帆;李全良;秦琦
主分类号	H01L27/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/146(2006.01)I
专利有效期	高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法至高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、位于该单晶硅衬底内的浅槽隔离区、完全覆盖该浅槽隔离区下方的掺杂阱、位于该浅槽隔离区之间的转移晶体管和掩埋型感光二极管。利用本发明，提高了感光二极管光生电荷的转移速度；同时，通过优化防穿通区和转移晶体管漏极一侧掺杂阱的位置和工艺参数，在不影响转移晶体管栅极下方沟道电荷转移的情况下，达到防止FD漏电的目的。