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一种基于ZnO同质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法

  • 申请号:CN201110387893.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院等离子体物理研究所
  • 公开(公开)号:CN102544378A
  • 公开(公开)日:2012.07.04
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种基于ZnO同质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法
申请号 CN201110387893.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102544378A 公开(授权)日 2012.07.04
申请(专利权)人 中国科学院等离子体物理研究所 发明(设计)人 吴璠;王命泰
主分类号 H01L51/46(2006.01)I IPC主分类号 H01L51/46(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期 一种基于ZnO同质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 至一种基于ZnO同质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,利用垂直生长于ITO衬基上的ZnO纳米棒阵列ZnO-NA作为模板,制备了以ZnO纳米棒为核ZnO量子点组成的多晶膜为无机修饰壳层的纳米棒阵列ZnO-NR-QD-NA,并通过有机物N719对ZnO-NR-QD-NA的修饰,获得了N719修饰的同质核壳结构纳米棒阵列ZnO-NR-QD-N719-NA,将聚合物与ZnO-NR-QD-N719-NA复合制成成品,电池的开路电压达到0.62V、短路电流为3.79mA/cm2及转换效率达到0.84%。与MEH-PPV/ZnO-NA电池相比,本发明电池的开路电压提高了88%,短路电流增加了192%及转换效率提高了425%。

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