专利详情

专利名称	将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法
申请号	CN201210056638.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102544289A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	田婷;张逸韵;耿雪妮;李璟;伊晓燕;王国宏
主分类号	H01L33/22(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法至将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合，可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低，而且比较环保等优点。