专利详情

专利名称	用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法
申请号	CN201110440347.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103173861A	公开（授权）日	2013.06.26
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	高攀;涂小牛;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏
主分类号	C30B29/30(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/30(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I
专利有效期	用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法至用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La3Ta0.5+xGa5.5-xO14，其中：-0.3≤x≤0.3，0≤y≤2，掺杂元素M为Ba、Mo和Al中的至少一种。该晶体可以采用提拉法或坩埚下降法等晶体生长方法制备，并通过优化生长气氛、掺杂元素及后处理条件，可以显著提高晶体高温下的电阻率。采用该晶体制作的压电元件首次成功应用于-200℃～649℃的超高温压电加速度传感器，该掺杂型高电阻率LGT晶体材料在未来的超高温压电器件中具有良好的应用前景。