专利详情

专利名称	一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法
申请号	CN201310529305.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103528802A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	魏学成;赵丽霞;王莉;孔庆峰;卢鹏志;王军喜;曾一平;李晋闽
主分类号	G01M11/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01M11/02(2006.01)I
专利有效期	一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法至一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。