专利详情

专利名称	一种低发散角的面发射量子级联激光器结构
申请号	CN201310503782.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103532013A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张锦川;姚丹阳;闫方亮;刘峰奇;王利军;刘俊岐;王占国
主分类号	H01S5/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/18(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I
专利有效期	一种低发散角的面发射量子级联激光器结构至一种低发散角的面发射量子级联激光器结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构，其包括：衬底；下波导层，该下波导层生长在该衬底正面；下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上；有源区，该有源区生长在下光限制层上；上光限制层，该上光限制层生长在该有源区上；光栅层，该光栅层制作于上光限制层的上，并且该光栅层具有二级分布反馈结构；上波导层，该上波导层生长在该光栅层上；亚波长金属光栅层，该亚波长金属光栅层制作于该衬底。本发明公开的上述方案用亚波长金属光栅结构对面发射量子级联激光器进行光束整形，既减小了波导方向的发散角又没有影响器件的倒装焊接。在中红外波段很容易激发等离子体波，且等离子体波的传播距离较远、吸收损耗较小。