专利详情

专利名称	一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法
申请号	CN201310568131.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103572237A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	汪爱英;周凯;张栋;邹友生;郭鹏;柯培玲
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I
专利有效期	一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法至一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法。该方法选用硼作为掺杂元素，将线性离子源沉积技术与磁控溅射沉积技术相结合，以硼靶为溅射靶，再通入含碳气源，利用线性离子源沉积碳膜的同时溅射沉积硼元素，得到硼掺杂类金刚石薄膜，然后连接导线，得到硼掺杂类金刚石薄膜电极。与现有技术相比，该方法绿色环保，工艺简单，成本低，制得的电极具有良好的电化学性能，因此具有良好的应用前景。