专利详情

专利名称	带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
申请号	CN201310559750.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103578942A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦
主分类号	H01L21/266(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/266(2006.01)I
专利有效期	带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法至带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面，并去掉光刻胶，获得超薄离子注入牺牲层薄膜。此种制作掩模的方法适用于碳化硅SBD、JBS二极管、MOSFET器件以及其他需要使用高温高能量离子注入的碳化硅器件。