专利详情

专利名称	制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法
申请号	CN201310553763.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103579461A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李璟;杨华;薛斌;王国宏;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/48(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;G09F9/33(2006.01)I
专利有效期	制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法至制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。