专利详情

专利名称	一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法
申请号	CN201310589191.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103578960A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	韩林超;申华军;白云;汤益丹;许恒宇;王弋宇;杨谦;刘新宇
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法至一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti和Ni，并对衬底-金属层进行高温退火处理。金属Ni、Ti和Ni的厚度分别为20nm、20nm和100nm。本发明可应用于SiC?JBS肖特基二极管的背面欧姆接触与SiC?MOSFET的背面欧姆接触的制备，以及其它类似SiC器件的背面欧姆接触。本发明采用Ni/Ti/Ni混合金属组分，采用高温退火的方式得到致密而且接触面比较平滑的欧姆接触，减小界面处空洞的存在，并且提高与加厚金属的粘附性，欧姆接触电阻率达到与采用纯Ni金属制备欧姆接触相当的水平。