带间级联激光器及其制备方法
- 申请号：CN201310553805.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103579904A
- 公开(公开)日：2014.02.12
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 带间级联激光器及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310553805.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103579904A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 邢军亮;张宇;徐应强;王国伟;王娟;向伟;任正伟;牛智川 |
| 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 专利有效期 | 带间级联激光器及其制备方法 至带间级联激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种带间级联激光器及其制备方法。该带间级联激光器在有源区InGaSb中插入InAs层，形成一空穴势垒，使得空穴波函数向两侧拓展，从而增加了空穴于电子波函数的交叠，电子空穴波函数在无外场作用下的交叠程度为15.407％，比传统的InAs/InGaSb/InAs?W型量子阱无外场波函数交叠提高了5.03％，从而提高了有源区增益。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言