氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途
- 申请号：CN201210293691.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院新疆理化技术研究所
- 公开(公开)号：CN103590106A
- 公开(公开)日：2014.02.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途 | ||
| 申请号 | CN201210293691.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103590106A | 公开（授权）日 | 2014.02.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;黄振军;田雪林 |
| 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I |
| 专利有效期 | 氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途 至氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途，采用固相反应法合成化合物及助熔剂法生长晶体，所述的方法操作简单，成本低；所制备的晶体在空气中不潮解，机械性能好，不易碎裂，物化性质稳定，易加工，适合于制作非线性光学器件。通过该方法获得的氟硼酸锶非线性光学晶体倍频效应约为3倍KDP，在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学晶体器件中可以得到广泛应用。 | ||
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