专利详情

专利名称	一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
申请号	CN201310617437.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103588482A	公开（授权）日	2014.02.19
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	王京阳;吴贞;孙鲁超
主分类号	C04B35/505(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/505(2006.01)I;C04B38/06(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法至一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及多孔陶瓷材料领域，具体为一种通过发泡注凝工艺制备高孔隙率和高强度的钇硅氧多孔陶瓷材料的方法。该方法以氧化钇和氧化硅混合粉末作为原料，水为分散介质，选用聚乙烯亚胺或柠檬酸铵为分散剂，以丙烯酰胺或N-羟甲基丙烯酰胺为单体，再加入交联剂N,N′-亚甲基双丙烯酰胺，搅拌后加入发泡剂十二烷基硫酸钠、起皮抑制剂聚氧化乙烯、催化剂N,N,N′,N′-四甲基乙二胺和引发剂过硫酸铵，接着进行注模凝固。脱模之后先在室温下干燥24～48小时，然后在60～90℃下干燥24～36小时，最后在1500～1550℃下进行1.5～2.5小时的高温反应烧结，最终制备出γ-Y2Si2O7多孔陶瓷。本发明可制备出具有多层次孔结构并且孔隙率可控的高孔隙率(75～85%)和高强度(3～8MPa)的γ-Y2Si2O7多孔陶瓷材料。