专利详情

专利名称	利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统
申请号	CN201310594552.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103592818A	公开（授权）日	2014.02.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	査国伟;牛智川;倪海桥;尚向军;贺振宏
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统至利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统，该系统包括：一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室；一原子力显微镜，其固定在超高真空室的底部；一衬底托固定装置，其固定在原子力显微镜的上面，该衬底托固定装置的中间有一孔洞；一衬底托，其位于衬底托固定装置中间的孔洞上面；一机械臂，其固定在超高真空室的上面，用于衬底托的传递；一探针置换腔，其固定在超高真空室的侧壁上，用于原子力显微镜探针的更换；一监控系统，用于原子力显微镜制备压印图形的控制。本发明具有图形精度高(高于50nm)、外延损伤小和利于制备高集成度阵列光电子器件等特点。