专利详情

专利名称	一种双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法
申请号	CN201310594535.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103594792A	公开（授权）日	2014.02.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘征;吕诚;曹俊诚
主分类号	H01Q1/38(2006.01)I	IPC主分类号	H01Q1/38(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C01B31/04(2006.01)I
专利有效期	一种双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法至一种双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种双曲介质和石墨烯纳米带组合天线器件的制作方法，包括步骤：1）提供由金属层及介质层周期层叠的双曲介质，根据等效介质理论计算出双曲介质在太赫兹波段的等效介电常数、；2）依据、将双曲介质的界面方向相对于第一平面逆时针旋转第一角度，并使旋转后双曲介质的上表面与所述第一平面平行；3）沿与第一平面顺时针旋转第二角度后的平面方向截去双曲介质的部分体积形成入射界面；4）于双曲介质的上表面制作石墨烯纳米带。本发明利用了双曲介质界面对光场的压缩及减速的特性、石墨烯纳米在太赫兹波段的带磁场可调的高电导率、及正的介电常数的特性，设计出了太赫兹滤波天线，实现了在亚波长的尺度下的太赫兹波辐射器件体系。