半导体器件
- 申请号：CN201210293234.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103594506A
- 公开(公开)日：2014.02.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201210293234.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103594506A | 公开（授权）日 | 2014.02.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 马小龙;殷华湘;许淼;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的缓冲层、缓冲层上的反型掺杂隔离层、反型掺杂隔离层上的阻挡层、阻挡层上的沟道层、沟道层上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的源漏区，其特征在于：缓冲层和/或阻挡层和/或反型掺杂隔离层为SiGe合金或者SiGeSn合金，沟道层为GeSn合金。依照本发明的半导体器件，采用SiGe/GeSn/SiGe的量子阱结构，限制载流子的输运，并且通过晶格失配引入应力，大大提高了载流子迁移率，从而提高了器件驱动能力以适应高速高频应用。 | ||
交易流程
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