专利详情

专利名称	一种相变存储单元及其制备方法
申请号	CN201310541687.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103594621A	公开（授权）日	2014.02.19
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	程国胜;卫芬芬;孔涛;黄荣;张杰
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储单元及其制备方法至一种相变存储单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种相变存储单元，包括：衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层，还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间，所述阻挡层的材料为Nb2O5，本发明提供的相变存储单元，在两层相变材料中加入阻挡层，通过控制阻挡层材料的性质及厚度，减小了操作电流，尤其减小多晶向非晶转化时的操作电流，实现了1D1R高密度集成，减小器件的功耗。另外，本发明还提供了一种相变存储单元的制备方法。