专利详情

专利名称	一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷及其制备方法
申请号	CN201310539150.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103601473A	公开（授权）日	2014.02.26
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	宋春军;秦晓英;辛红星;张建;李地;刘永飞;李亮亮
主分类号	C04B35/04(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/04(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷及其制备方法至一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷及其制备方法。该氧化镁陶瓷采用高纯度轻质氧化镁为原料，高纯度的五氧化二钒、氧化钇、氧化铝以及二氧化钛的一种或多种混合为添加剂制备而成，其中氧化镁含量≥93wt%、相对致密度≥97%，添加剂含量为0-7wt%，氧化钙、氧化铁等杂质总含量<1wt%。通过混料、干燥、造粒、成型和烧结的工艺制备得到所述氧化镁陶瓷。本发明氧化镁陶瓷具有纯度高、致密度高、耐高温、耐腐蚀、气密性好、无污染等特点，可长期应用于高温烧结、冶炼金属等高温、耐腐蚀性环境，且制备工艺稳定、成品率高、适应范围广，适于批量化生产。