专利详情

专利名称	一种MOSFET结构及其制造方法
申请号	CN201310479825.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103606524A	公开（授权）日	2014.02.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;刘云飞
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期	一种MOSFET结构及其制造方法至一种MOSFET结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160)；b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位；c.对所述半导体结构进行倾斜的离子注入，形成载流子散射区(400)，所述载流子散射区(400)位于漏端一侧的半导体结构表面下方；d.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。根据本发明提供的一种减小热载流子跃迁几率的方法，在靠近漏端一侧的沟道材料中注入散射杂质，即非电离杂质，增大热载流子在夹断区被散射的概率，使得载流子在夹断区运动时受到的阻力增大，降低热载流子的能量，从而减小热载流子进入栅极介质层的数目和几率。