专利详情

专利名称	一种宽禁带功率器件场板的制造方法
申请号	CN201310567092.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103606515A	公开（授权）日	2014.02.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种宽禁带功率器件场板的制造方法至一种宽禁带功率器件场板的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜面上制作场板金属。利用本发明，不需要多步干法刻蚀，采用湿法腐蚀的方法，可以防止干法刻蚀过程中对半导体器件表面造成的损伤，且可以形成满足电场均匀分布要求的具有一定倾斜角度的场板斜面。