专利详情

专利名称	一种低功耗相变存储器结构的制备方法
申请号	CN201310415207.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103618045A	公开（授权）日	2014.03.05
申请（专利权）人	上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	何敖东;宋志棠;刘波;王良咏;刘卫丽
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种低功耗相变存储器结构的制备方法至一种低功耗相变存储器结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。