专利详情

专利名称	用于高背景场的低温和高温超导混合磁体
申请号	CN201310554826.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103617859A	公开（授权）日	2014.03.05
申请（专利权）人	中国科学院等离子体物理研究所	发明（设计）人	宋云涛;郑金星;黄雄一;刘旭峰;武松涛
主分类号	H01F6/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I
专利有效期	用于高背景场的低温和高温超导混合磁体至用于高背景场的低温和高温超导混合磁体	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于高背景场的低温和高温超导混合磁体，包括有内部高温超导磁体组件、外部低温超导组件，内部高温超导磁体组件和外部低温超导组件分别独立加工成型后再嵌套焊接成为一个整体结构。本发明能够在满足超导磁体系统正常工作的前提条件下，实现超导导体在高背景场下安全运行，提高超导磁体的最大运行电流，进一步提高超导磁体的运行性能。同时采用混合磁体线圈的外部采用低温超导磁体可以有效降低磁体线圈的加工制造成本。