专利详情

专利名称	一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用
申请号	CN201310613182.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103617891A	公开（授权）日	2014.03.05
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	胡劲松;姜岩;宋卫国
主分类号	H01G9/042(2006.01)I	IPC主分类号	H01G9/042(2006.01)I
专利有效期	一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用至一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用。氧化铟锡纳米线阵列复合材料，其包括生长在导电基底上的氧化铟锡纳米线阵列，所述氧化铟锡纳米线阵列上包裹有硫化亚铜纳米颗粒。本发明提供的制备方法包括如下步骤：（1）以金纳米颗粒为催化剂，通过化学气相沉积法，在所述导电基底上沉积生长所述氧化铟锡纳米线阵列；（2）通过化学浴沉积法，在所述氧化铟锡纳米线阵列上包覆CdS纳米颗粒；（3）通过离子交换法，将所述CdS纳米颗粒转化成Cu2S纳米颗粒；然后在惰性气氛下，经煅烧即得所述复合材料。使用本发明制备的Cu2S@ITO纳米线阵列作为对电极材料组成的太阳能电池后性能明显优于贵金属Pt或Au，以及金属基的过渡金属硫属化合物作为对电极材料的太阳能电池。