专利详情

专利名称	一种半导体结构
申请号	CN201190000062.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203466197U	公开（授权）日	2014.03.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构至一种半导体结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供了一种半导体结构，该结构包括衬底（100）、半导体基体（250）、空腔（410）、栅极堆叠、侧墙（230）、源/漏区（500）和接触层（520），其中栅极堆叠位于半导体基体之上，侧墙位于栅极堆叠的侧壁上，源/漏区嵌于半导体基体中，并位于栅极堆叠的两侧，空腔嵌于衬底中，半导体基体悬置于空腔上方，在沿栅极长度的方向上，半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，半导体基体与衬底相连，接触层覆盖所述源/漏区暴露的表面。还提供了一种半导体结构的制造方法。利于减小源/漏区的接触电阻，提高器件性能，并降低成本，简化工艺。