专利详情

专利名称	一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法
申请号	CN201310705757.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103626120A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	戴鹏飞;李铁;高安然;鲁娜;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;G01N27/414(2006.01)I
专利有效期	一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法至一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，包括以下步骤，提供一设有硅纳米线的硅片；在所述硅片上依次生长具有第一厚度的第一Si3N4薄膜、SiO2薄膜以及具有第二厚度的第二Si3N4薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；进行光刻工艺，将所述第二Si3N4薄膜图形化，形成窗口，沿所述窗口刻蚀暴露的所述硅纳米线上方的第二Si3N4薄膜区域至暴露出该第二Si3N4薄膜区域下方的SiO2薄膜；继续刻蚀；去除所述其余第二Si3N4薄膜区域覆盖的光刻胶；接着置于浓磷酸中，腐蚀掉硅纳米线上方的第一Si3N4薄膜，暴露出所述硅纳米线。该方法确保了传感器可以在液体环境中进行检测；硅纳米线不会受到损伤，而在后续敏感膜修饰时，生物基团也可以有选择性地吸附在敏感区域。