专利详情

专利名称	一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法
申请号	CN201310682779.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103627399A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	孟健;武晓杰
主分类号	C09K11/88(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/88(2006.01)I;C09K11/78(2006.01)I;C09K11/84(2006.01)I
专利有效期	一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法至一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供了一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法，包括以下步骤：在保护气体氛围下，将荧光粉和半导体混合后研磨，得到混合物，在保护气体或真空氛围下，将上述步骤得到的混合物在脉冲电流和压力的作用下，进行烧结得到半导体/荧光粉异质结构；所述荧光粉的摩尔数占荧光粉和半导体总摩尔数的百分比为10%～40%。本发明采用放电等离子体热压烧结方法制备半导体/荧光粉异质结构，本发明制备的半导体/荧光粉异质结构，利用半导体的能带特征，实现了稀土离子宽带激发的光转换。