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一种微纳阵列传感器及其制备方法

  • 申请号:CN201310413718.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
  • 公开(公开)号:CN103630571A
  • 公开(公开)日:2014.03.12
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种微纳阵列传感器及其制备方法
申请号 CN201310413718.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103630571A 公开(授权)日 2014.03.12
申请(专利权)人 中国科学院电子学研究所 发明(设计)人 刘春秀;蔡新霞;宋轶琳;蒋庭君;徐声伟;石文韬;林楠森;王蜜霞;蔚文婧
主分类号 G01N27/00(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/00(2006.01)I;G01N27/26(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期 一种微纳阵列传感器及其制备方法 至一种微纳阵列传感器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种用于原位定量测定单细胞及释放物质的微纳环形电极阵列传感器及其制备方法。所述微纳圆环阵列传感器包括:微纳圆环电极阵列,其为微纳圆环电极组成的阵列;定点纳米修饰层,其位于微纳环形电极的内表面,用于增加电极性能;特异选择反应修饰层,其通过在定点纳米修饰层的表面固定不同的特异性材料形成,用于对应检测不同细胞的不同神经递质;选择性细胞吸附层,其形成在特异选择反应修饰层表面,用于细胞的选择性吸附。本发明提出的上述微纳环形电极阵列传感器体积小、记录点多、对神经细胞无损伤、可以在二维尺度上同时检测多个记录点(同时检测多个细胞、多种神经递质)的微纳圆环电极阵列传感器。

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