专利详情

专利名称	一种阴极活性发射材料的制备方法
申请号	CN201310009451.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103632902A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	阴生毅;彭真;王宇;李阳;王欣欣;郑强
主分类号	H01J9/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01J9/02(2006.01)I
专利有效期	一种阴极活性发射材料的制备方法至一种阴极活性发射材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是一种阴极活性发射材料的制备方法，制备步骤如下：第一步：将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物；第二步：用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不同材料间产生交叉污染；第三步：按照钡锶钙氧化物35～50wt％∶411钡铝酸盐35～50wt％∶氧化钪为5～30wt％的比例，分别称取钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪这三种物质的粉末，倒入同一研钵中，混合研磨约30分钟，得到活性发射材料；第四步：将制备好的活性发射材料倒入广口瓶中，封盖后置于低湿柜或干燥器中保存。本发明材料适用于各种规格的浸渍扩散阴极和覆膜浸渍扩散阴极，满足阴极批量生产的需要。