
一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法
- 申请号:CN201310590933.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 公开(公开)号:CN103632754A
- 公开(公开)日:2014.03.12
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 | ||
申请号 | CN201310590933.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103632754A | 公开(授权)日 | 2014.03.12 |
申请(专利权)人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明(设计)人 | 杨晔;王木钦;朱科;黄金华;兰品军;宋伟杰 |
主分类号 | H01B5/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B5/14(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C30B28/12(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I |
专利有效期 | 一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 至一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层,AZO籽晶层厚度为5~20nm,AZO主体层厚度为100~180nm,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的电阻率为2.9~9.7×10-4Ω·cm,380~780nm波长范围内的平均透过率为80~90%。本发明中通过合理设置氧气与氩气的体积比为0~1,能够制备超薄的AZO籽晶层(小于20nm),且形成完美(002)择优取向的高质量AZO籽晶层。本发明通过设置与AZO主体层同质的AZO籽晶层,提高薄膜的应力减小;且能够在温度不高于200℃的条件下制备厚度不超过200nm的超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,无需后续处理环节,节省生产能耗,降低了生产成本,提高了生产效率,适用于工业生产。 |
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