专利详情

专利名称	利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
申请号	CN201310652125.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103633200A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨少延;冯玉霞;魏鸿源;焦春美;赵桂娟;汪连山;刘祥林;王占国
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法至利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。