专利详情

专利名称	一种电阻型存储器的制备方法
申请号	CN201210311116.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103633243A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吕杭炳;刘明;刘琦;李颖弢;龙世兵
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种电阻型存储器的制备方法至一种电阻型存储器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种电阻型存储器的制备方法，包括：对开孔而暴露的下电极进行高温退火，使其表面析出纳米颗粒；在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极；以及图形化上电极和阻变材料层。本发明提供的这种电阻型存储器的制备方法，通过在Cu下电极表面形成突触颗粒，由于存在局部电场增强效应，在存储介质中发生电阻转变时，导电通道会优先在突触颗粒上方形成，有效的消除器件的激活电压、提高器件产率、减小器件参数的离散性。采用该方法制备的CuxO基电阻型存储器具有制作成本低、效果好、易与CMOS工艺集成的优点。