专利详情

专利名称	利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
申请号	CN201310651999.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103633199A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨少延;张恒;魏鸿源;焦春美;赵桂娟;汪连山;刘祥林;王占国
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法至利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。