专利详情

专利名称	高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器
申请号	CN201310652143.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103633559A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王涛;刘俊岐;刘峰奇;张锦川;王利军;王占国
主分类号	H01S5/183(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/183(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I
专利有效期	高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器至高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。