级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源
- 申请号：CN201310203752.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN103632909A
- 公开(公开)日：2014.03.12
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源 | ||
| 申请号 | CN201310203752.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103632909A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 刘文鑫;张兆传;王勇;赵超 |
| 主分类号 | H01J25/42(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J25/42(2006.01)I;H01J23/06(2006.01)I;H01J23/087(2006.01)I |
| 专利有效期 | 级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源 至级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种级联高频结构的双电子注THz波辐射源。该双电子注THz波辐射源采用返波振荡器产生THz信号作为行波放大器的激励信号，在同一个THz波辐射源中，既实现了高功率THz波产生同时又实现THz波功率放大和频带展宽，从而有利于THz波辐射源在抗干扰、有害物质检测、超宽带雷达远距离探测和高分辨率成像雷达等方面的应用。 | ||
交易流程
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