专利详情

专利名称	一种纳米线衬底结构及其制备方法
申请号	CN201310670650.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103633123A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙兵;刘洪刚;赵威;王盛凯;常虎东
主分类号	H01L29/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/20(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种纳米线衬底结构及其制备方法至一种纳米线衬底结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷沟道纳米线环栅MOSFET提供基础，可应用于CMOS集成技术中，采用铟镓砷来替代硅作为沟道材料有利于提高NMOSFET的电学特性，而纳米线环栅场效应晶体管结构的栅控能力强，可以有效抑制MOSFET的短沟效应，提高器件电学特性。