基于高阻材料的电场传感器封装元件
- 申请号：CN201310340888.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN103633036A
- 公开(公开)日：2014.03.12
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 基于高阻材料的电场传感器封装元件 | ||
| 申请号 | CN201310340888.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103633036A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 夏善红;闻小龙;陈贤祥;彭春荣;杨鹏飞;方东明 |
| 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 专利有效期 | 基于高阻材料的电场传感器封装元件 至基于高阻材料的电场传感器封装元件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于高阻材料的电场传感器封装元件，包括：基板；第一封装框，固定于所述基板；第一封装盖，固定于所述封装框；至少一个电场传感器芯片位于所述基板、第一封装框和第一封装盖形成的内腔内；其中，所述基板、第一封装框第一封装盖中的至少一种是电阻率大于或等于108Ω·cm的高阻值材料。本发明可以保证电场准确测量，并为环境适应性这一关键问题的解决提供了一种重要的途径，提高了电场探测的稳定性和可靠性。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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