专利详情

专利名称	铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310613803.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103633182A	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;王耀明;朱小龙;张雷;李爱民;秦明升;刘战强;谢宜桉
主分类号	H01L31/0749(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法至铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法，所述太阳电池包括：依次形成于玻璃基片上的N型透明导电膜、和N型宽带隙半导体微粒多孔膜；在所述N型宽带隙半导体微粒多孔膜的孔隙内和表面原位生成从而与其复合的铜铟镓硫硒敏化层；以及形成于所述铜铟镓硫硒敏化层上的背电极；其中，所述全固态铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池不含有机染料和液态电解质。本发明中，铜铟镓硫硒在多孔半导体阳极的孔隙内和表面原位生成，因此铜铟镓硫硒与多孔半导体阳极之间可实现紧密的化学结合，实现光生载流子在界面上有效传输。