专利详情

专利名称	一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法
申请号	CN201310565943.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103643287A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王业亮;李林飞;高鸿钧
主分类号	C30B23/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B23/02(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C01G17/00(2006.01)I
专利有效期	一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法至一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法，锗烯二维原子晶体材料的制备方法包括：1）在真空环境下，将适量锗蒸发沉积到过渡金属铂基底上；2）对整个样品进行退火处理，以使锗原子发生相互作用，在基底表面形成二维长程有序的膜状结构，其中锗原子成六角蜂窝状周期性排布，形成一种新型的二维原子晶体材料。这种类石墨烯结构的新型材料拓展了非碳基二维蜂窝状晶体材料的研究领域，在未来信息电子学及器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。