专利详情

专利名称	一种高质量大尺寸单晶石墨烯的制备方法
申请号	CN201310637514.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103643288A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	任文才;马腾;成会明
主分类号	C30B29/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/02(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I
专利有效期	一种高质量大尺寸单晶石墨烯的制备方法至一种高质量大尺寸单晶石墨烯的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积（CVD）制备技术，具体为一种高质量大尺寸单晶石墨烯的制备方法，适于制备高质量大尺寸单晶石墨烯。采用化学气相沉积技术，以铜、铂等金属为生长基体，以碳氢化合物为碳源，在含有氢气的载气存在的情况下，先对金属基体进行热处理，并利用碳源气体高温下催化裂解，生长出单晶石墨烯。然后通过调控氢气和碳源浓度对石墨烯进行刻蚀，大幅度减小单晶石墨烯的分布密度，之后再次调节反应气氛使其再生长，如此反复数次，最终获得高质量大尺寸单晶石墨烯。采用本发明可获得高质量英寸级单晶石墨烯，为其在纳电子器件、透明导电膜、显示器和太阳能电池电极、气体传感器、薄膜电子器件等光电领域的应用奠定基础。