专利详情

专利名称	μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉
申请号	CN201310582505.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103645200A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花
主分类号	G01N23/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01N23/20(2006.01)I;C30B28/04(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I
专利有效期	μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉至μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了?-XAFS技术原位实时测量熔融法晶体生长微观结构的方法，本方法基于?-XAFS技术分别原位实时测量熔融法晶体生长时不同区域（晶体、边界层、熔体）的特征元素的配位状态及其演变规律，从而获得熔融法晶体生长时从熔体到晶体微观结构的变化规律；本发明还提供了?-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，通过该微型晶体生长炉能实现对晶体生长时晶体、边界层和熔体中的特定元素的配位数进行原位、实时观测。