专利详情

专利名称	一种改善用于Al₂O₃介质上的光刻工艺的方法
申请号	CN201310681200.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103645614A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	张凯平;刘明;谢常青;龙世兵;陆丛研;胡媛;刘宇;赵盛杰
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I
专利有效期	一种改善用于Al₂O₃介质上的光刻工艺的方法至一种改善用于Al₂O₃介质上的光刻工艺的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种改善Al2O3介质上的光刻工艺的方法，Al2O3介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀，从而影响器件的性能，该方法包括：在含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液中，加入体积百分比为0.6％至1.4％的硅的浓缩液和体积百分比为0.1％至0.3％的过硫化铵(NH4)2S2O8溶液对显影液进行改进；利用上述改进后的显影液对在Al2O3介质上的曝光后的光刻胶进行显影。利用本发明，光刻过程中Al2O3介质层随着显影时间的变化厚度不变、表面保持光滑，并且该方法稳定性好、重复率高。

交易流程

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