专利详情

专利名称	一种异步SRAM的I/O接口电路
申请号	CN201310642655.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103646665A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘鑫;赵发展;刘梦新;韩郑生
主分类号	G11C11/4063(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/4063(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I
专利有效期	一种异步SRAM的I/O接口电路至一种异步SRAM的I/O接口电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种异步SRAM的I/O接口电路，属于SRAM的数据读写技术领域。所述接口电路包括读取电路和写入电路；读取电路的输出端与写入电路的输入端连接；读取电路连接使能信号、数据信号和读取信号；写入电路连接写入信号。本发明的异步SRAM的I/O接口电路，通过使用使能信号和读取信号控制输出数据的操作，使用写入信号控制数据的写入操作，方便快速地实现了数据的读出或写入操作；通过在读取电路中引入正反馈，增强了电平信号的准确性；不存在电源VDD到地GND的通路，大大地降低了读出电路的功耗；通过使用读取信号控制晶体管的开启，加快了电路的响应速度。