生长半极性GaN厚膜的方法
- 申请号：CN201310750779.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103647008A
- 公开(公开)日：2014.03.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 生长半极性GaN厚膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201310750779.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103647008A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 羊建坤;魏同波;霍自强;张勇辉;胡强;段瑞飞;王军喜 |
| 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 专利有效期 | 生长半极性GaN厚膜的方法 至生长半极性GaN厚膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。 | ||
交易流程
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