专利详情

专利名称	一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法
申请号	CN201310712946.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103647012A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	梁萌;杨华;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽
主分类号	H01L33/48(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/48(2010.01)I;H01L21/683(2006.01)I
专利有效期	一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法至一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤：在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应，在该金属图案下面存在导热、导电通道，通过该导电通道，LED单元器件的电极与基板背面的金属焊盘相连；然后通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；最后，采用激光剥离的方式，对上述待键合单元器件依次进行剥离，使得待键合单元器件的外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列。本发明所述的芯片转移方法，可用于LED器件的晶圆级封装，提高封装效率和降低成本。