专利详情

专利名称	薄膜窗口的制备方法
申请号	CN201310575316.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103646870A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	李琳;廖昭亮;李建奇
主分类号	H01L21/308(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/308(2006.01)I
专利有效期	薄膜窗口的制备方法至薄膜窗口的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种薄膜窗口的制备方法，包括：提供一硅晶片；在所述硅晶片的两面分别沉积一层保护薄膜层和一层窗口薄膜层；提供具有至少一个窗口的掩模，并将所述掩模可分离地覆盖在所述保护薄膜层上；利用干法刻蚀工艺在所述硅晶片内部刻蚀出与所述窗口形状一致的沟槽，从而在所述沟槽与所述窗口薄膜层之间形成一层厚度在10-15微米之间的硅残留层；其中，所述掩模由耐受所述干法刻蚀工艺的金属制成；以及移走所述掩模，并通过湿法刻蚀工艺移除所述硅残留层，以暴露出所述硅残留层下的窗口薄膜层。本发明的方法简单，流程少，且制备的薄膜窗口具有较大的实际使用面积。