专利详情

专利名称	一种SGOI结构的制备方法
申请号	CN201310724465.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103646910A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;陈达;狄增峰;薛忠营;王刚;母志强;叶林
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	一种SGOI结构的制备方法至一种SGOI结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO2层的叠层结构；S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到SGOI结构。本发明结合离子注入技术和锗浓缩工艺制备高质量高Ge浓度的SGOI结构，离子注入减弱了顶层硅与所述SiGe层之间的晶格失配，且伴随退火过程的进行，位错环在纵向方向上相互作用并相互抵消，使应力得到释放，从而使最终获得的SGOI结构中穿透位错密度大大降低。