专利详情

专利名称	一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310616201.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103646974A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	邢宇鹏;韩培德;王帅;梁鹏
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法至一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高倍聚光硅太阳电池，其包括：钝化减反膜；第一掺杂层，其制作在钝化减反膜下表面的中间部位；顶层硅，其制作在第一掺杂层的下表面；第二掺杂层，其制作在顶层硅的一侧面，其端部覆盖第一掺杂层一端的下表面；第三掺杂层，其制作在顶层硅的另一侧面，其端部覆盖第一掺杂层的另一端的下表面；埋氧层，其制作在顶层硅的下表面，其长度大于顶层硅，且覆盖第二掺杂层的另一端和第三掺杂层的另一端；第一电极，其制作在第二掺杂层的表面；第二电极，其制作在第三掺杂层的表面；导热层9，其制作在埋氧层的下表面及两端部，并覆盖第一电极和第二电极的端部。