专利详情

专利名称	GOI结构的制备方法
申请号	CN201310724017.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103646909A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;陈达;薛忠营;王刚;郭庆磊;叶林;狄增峰
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	GOI结构的制备方法至GOI结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种GOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO2保护层；S2：从所述SiO2保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S3：去除所述SiO2保护层，在所述顶层硅表面外延生长一SiGe层；S4：在所述SiGe层表面形成一Si帽层；S5：将步骤S4获得的结构进行锗浓缩，形成依次包含有背衬底、埋氧层、Ge层、SiO2层的叠层结构；S6：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到GOI结构。本发明利用预先对SOI衬底进行离子注入，然后外延SiGe层并进行锗浓缩，在锗浓缩的退火过程中，顶层硅中注入的离子减弱了Si与SiGe之间的晶格失配，使应力抵消释放，从而降低最后GOI材料的穿透位错密度，获得高质量的GOI结构。