专利详情

专利名称	一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法
申请号	CN201310729555.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103646986A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨敏;种明;赵德刚;王晓勇;苏艳梅;孙捷;孙秀艳
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法至一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。